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厂商型号

IPG20N04S4L07AATMA1 

产品描述

MOSFET 40V 7.2Ohm 20Amp

内部编号

173-IPG20N04S4L07AATMA1

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

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美国加州
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IPG20N04S4L07AATMA1产品详细规格

规格书 IPG20N04S4L07AATMA1 datasheet 规格书
安装风格 SMD/SMT
配置 Dual
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 16 V
连续漏极电流 20 A
系列 IPG20N04
RDS(ON) 7.2 mOhms
封装 Reel
功率耗散 65 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TDSON-8
栅极电荷Qg 39 nC
典型关闭延迟时间 50 ns
零件号别名 SP001061264
上升时间 4 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 40 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 25 ns
工厂包装数量 5000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.7 V
宽度 5.15 mm
Qg - Gate Charge 39 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 16 V
品牌 Infineon Technologies
通道数 2 Channel
晶体管类型 2 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 20 A
长度 5.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 7.2 mOhms
通道模式 Enhancement
身高 1.27 mm
典型导通延迟时间 9 ns
Pd - Power Dissipation 65 W
技术 Si

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